- Categoría: Productos semiconductores discretos
- Familia: FET - Matrices
- Carga de compuerta (Qg) según Vgs: 20 nC a 10 V
- Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds: 665 pF a 15 V
- Potencia máxima: 3.1 W
- Temperatura de operación: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje Montaje: en superficie
- Encapsulado: SMD SOP8
- Fabricante: Vishay Siliconix
- Serie: TrenchFET®
- Tipo: FET Doble canal N (doble)
- Característica de FET: Compuerta de nivel lógico
- Voltaje drenaje-fuente (Vdss): 60 V
- Corriente, consumo continuo (Id) a 25 ºC: 5.3 A
- Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C: 80 mOhm a 4.3 A, 10 V
- Vgs(th) (máx.) en Id: 3 V a 250 µA
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